（1）硅片切割：将外购硅片使用高精度振镜、直线电机补偿调节，采用无冷媒的方式（市场上绝大多数用水）更好地保护N型硅片膜层，完成硅片切割；
（2）链式清洗：将切割完成的硅片放到氢氧化钾清洗液中进行清洗，然后进行酸洗完成硅片表面的清洗；
（3）链式吸杂：使用磷酸在一定温度下在硅片表面形成磷硅玻璃，达到将硅片内的金属杂质吸出的作用；
（4）清洗制绒：利用碱对硅的各向异性刻蚀原理，在形成硅片表面形成金字塔形状，达到陷光目的；同时使用改良RCA清洗工艺对硅片表面进行清洗，为下一步镀膜做准备；
（5）PEVCD镀膜：利用非晶硅优异的短话效果在硅片表面沉积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，从而形成PN结。工艺过程主要采用RF电源将硅烷（SiH)、氢气（H）等其他工艺气体激发为等离子体态，并相互反应，最终以薄膜形式沉积在硅片表面；
（6）PVD镀膜：电池表面沉积TCO透明导电氧化薄膜起到减反和导电作用；工艺过程主要利用磁控溅射原理，将TCO材料以薄膜形式沉积到电池表面，实现导电、减反和保护非晶硅薄膜的作用；
（7）丝网印刷：利用固定网版图形将银浆印刷到电池正背面，固化之后形成电路将电池产生的电流引出来；